KC-HA-FFP、KC-HB-FFP特点

KC-HA-FFP、KC-HB-FFP特点KC-HA-FFP、KC-HB-FFPDCS和PLC控制器的差别DCS和PLC控制器的主要差别是在关量和模拟量的运算上，即使后来两者相互有些渗透，但是仍然有区别。80年代以后，PLC除逻辑运算外，也增加了一些控制回路算法，但要完成一些复杂运算还是比较困难，PLC用梯形图编程，模拟量的运算在编程时不太直观，编程比较麻烦。但在解算逻辑方面，表现出快速的优点。而DCS使用功能块封装模拟运算和逻辑运算，无论是逻辑运算还是复杂模拟运算的表达形式都非常清晰，但相对PLC来说逻辑运算的表达效率较低。
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KC-HA-FFP、KC-HB-FFP特点KC-HA-FFP、KC-HB-FFP一帧为10位，1位起始位、8位数据位（先低后高）、1位停止位。波特率由T1或T2的溢出率确定。在发送或接收到一帧数据后，硬件置TI=1或RI=1，向CPU申请中断；但必须用软件中断标志，否则，下一帧数据无法发送或接收。发送：CPU执行一条写SBUF指令，启动了串行口发送，同时将1写入输出移位寄存器的第9位。发送起始位后，在每个移位脉冲的作用下，输出移位寄存器右移一位，左边移入0，在数据位移到输出位时，原写入的第9位1的左边全是0，检测电路检测到这一条件后，使控制电路作 一次移位，/SEND和DATA无效，发送停止位，一帧结束，置TI=1。

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KC-HA-FFP、KC-HB-FFP特点KC-HA-FFP、KC-HB-FFP三极管有三种工作状态，分别是放大、饱和、截止。使用 多的是工作在放大状态。NPN型三极管其两边各位一块N型半导体，中间为一块很薄的P型半导体。这三个区域分别为发射区、集电区和基区，从三极管的三个区各引出一个电极，相应的称为发射极（E）、集电极（C）和基极（B）。虽然发射区和集电区都是N型半导体，但是发射区的掺杂浓度比集电区的掺杂浓度要高得多。另外在几何尺寸上，集电区的面积比发射区的面积要大。由此可见，发射区和集电区是不对称的。